Wafer Charging Monitors, Inc.

DamageMap™ 軟體已經推出！  

根據客戶的要求，WCM 開發了 DamageMap™ ： 將 CHARM®-2 結果與產品良率晶圓平面圖進行比較的一個全新而簡單的方法。DamageMap™ 會總結用于顯示數個不同晶圓圖和 J-V 圖的結果。這可以使評估晶圓充電對產品良率的影響以及找出導致問題出現的製造設備/制程步驟的工作大為簡化。

超越表面電勢測量

在 DamageMap™ 推出之前，IC 製造商嘗試使用表面電勢圖來評估晶圓充電損害。有時這些平面圖與晶圓損害是有關的，但是在大部份情況下卻並非如此。存在這一差異並不讓人驚訝，因為產生明顯表面電勢所需的充電比起閘極氧化損害充電要低數個級別。因此，較高的表面電勢並不一定會造成損害。此外，晶圓上具有最高表面電勢的部份往往並不是（導致元件損害的）具有最高氧化電流密度的部份。

超越 J-V 圖

真正導致晶圓充電損害的是電流密度，而不是表面電勢。這就是具有獨特的測量晶圓充電電流功能的 CHARM®-2，可以完全超越其他僅測量表面電勢的監視器的原因。但是，將產品良率晶圓圖與 J-V 圖進行比較是非常麻煩的。原因其實很簡單 － 要完整地描述一個 200 mm 的晶圓需要數百個 J-V 圖（每個晶方 [die] 位置一個 J-V 圖）。現在 DamageMap™ 使這個過程變得極為簡單，只需產生一個顯示出造成損害的氧化電流密度值的晶圓圖即可。

方便而實用

以前，要評估晶圓充電對閘極氧化層的損害，您必須將閘極氧化層 Fowler-Nordheim 特性與來自 CHARM®-2 的相應 J-V 圖進行比較。如果兩個圖相交，則說明很可能會有損害，否則即不會存在此問題。問題在於某些晶圓製造廠並不一定會有 Fowler-Nordheim 圖，但是全球的每個製造廠都會測量閘極氧化損害電壓。因此 DamageMap™ 使用閘极損害電壓作為輸入變量（由於製程設備中的充電損害總是在數秒內出現，因此它是可以接受的選擇），這樣高電流密度就會出現在氧化損害電壓附近。

易於理解

DamageMap™ 會將晶圓製造廠的閘極損害資料與來自 CHARM®-2 的 J-V 圖進行比較並產生一個晶圓圖，顯示出每個晶方位置造成損害的氧化電流。特定製程設備的 DamageMap™ 晶圓圖可以直接與產品良率圖進行比較。如果 DamageMap™ 圖與良率圖有關係而且 DamageMap™ 電流密度很高，則該設備很可能有問題。您只需看看 DamageMap™ 就可以找出晶圓充電問題！