WCM   Wafer Charging Monitors, Inc.

常問問題
(進階 FAQ)


離子植入過程中的晶圓充電

1.問. 哪種類型的離子植入最容易導致晶圓充電問題?
答. 用以製造源極/排極介面的高電流植入以及一些中電流植入。

2.問. 泛射電子槍或電子簇射是否可以在離子植入時消除晶圓充電?
答. 它們可以明顯地減少晶圓充電,但是仍然有可能存在晶圓充電的問題(這取決於設備的結構而定)。

3.問. 源極/排極離子植入的「安全」射束電流是甚麼?
答. 目前的離子植入器在正確最佳化時,可以在植入器的額定輸出狀態下運作。

4.問. 我是否可以使高電流離子植入器在額定輸出狀態下作業,以便將產量提到最高,而又不導致產品晶圓充電損害。
答. 可以。但是可能需要最佳化植入參數與充電控制系統設定。

5.問. 我是否可以使用 CHARM®-2 晶圓最佳化植入與充電控制系統設定,以便將產量提至最高。
答. 可以,這是一種簡單直接的應用。請與 WCM 聯絡以獲得更詳盡的資訊。

6.問. 在離子植入時光阻遮罩的極性對晶圓充電是否有影響?
答. 有影響,差別會非常明顯,以下的文章包含相關的討論:


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