| 1. | Q. | CHARM®-2 ウェーハのセンサー
では、実際に何を測定するのですか ? |
| A. | CHARM®-2 ウェーハのセンサーでは、
以下を測定します。
- ゲート酸化膜に生じるチャージング電位の大きさおよび極性
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ウェーハに電荷密度の大きさおよび極性
- UV 強度
加えて、CHARM®-2 ウェーハは、ウェーハ上のデバイスに印加されるチャージング源のJ-V 特性を測定します。
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| 2. | Q. | ウェーハ電位をモニタ
するだけで十分でありませんか ? |
| A.
| いいえ。デバイス ダメージの原因となるチャージング電流を知っておくこと
も不可欠です。
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| 3. | Q. | CHARM®-2 ウェーハ上のフォト
レジストは必ず使用しなければなりませんか ? |
| A. | アプリケーションによります。以下の多くのアプリ
ケーションでは、異なるプロセス装置の比較、装置のモニタリング、装置
の条件出しなどをする場合にはそのままの状態で CHARM®-2
ウェーハをご使用いただけます。しかしながら、アプリケーションでは、レジストパターン付の製品ウェーハと同じ環境下で、デバイス ダメージを予測 する
ことを目的にチャージ電位及び電流密度を測定したい場合には、レジストは不可欠です。
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| 4. | Q. | CHARM®-2 ウェーハの
レジストをパターン形成するために製品用レジストマスクを使用することはできますか ? |
| A. | できます。製品マスクを使用して測定した
電位は、 WCM 社が用意した CHARM®-2 専用マスクを使用した場合の電位と非常に
似ていますが、J-V 特性結果では、有益な J-V 情報を得るためには数個のチップからの「平均値」を使用する必要があります。
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| 5. | Q. | UV 光が多く発生する高密
度プラズマでは、CHARM®-2 センサーは、チャージング ダメージ と UV 光ダメー
ジを区別することができますか ? |
| A. | できます。CHARM®-2 ウェーハには、UV
に反応しないチャージングセンサーだけではなく、チャージングに反応しない UV セ
ンサーもあります。その結果、CHARM®-2 ウェーハ を使用すると、非常に簡単に UV 光からの影響とチャージングによる影響を区別することができます。
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| 6. | Q. | CHARM®-2 では、過渡的に起こったチャージング特性と定常状態でのチャージング状態を区別することができますか ? |
| A. | できます。 この情報は、CHARM®-2
の J-V グラフから導き出すことができます。
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| 7. | Q. | 特性のプロセス装置のチ
ャージング特性におけるドリフトをモニタしたことはありますか ? |
| A.
| あります。CHARM®-2 ウェーハを使用して装置ドリフ
トをモニタして得られた利点のよい例として、この情報をどのようにしてメンテナンス 手順を改良す
るために使用したかが、以下のペーパーに説明されています。 |
Wafer Charging Monitors, Inc.