| 1. | Q. | CHARM®-2 ウェーハに重大なダ
メージを与えることなくプラズマ エッチャー経由で CHARM®-2 ウェーハ
を処理することはできますか ? |
| A.
| エッチングのサイクルを短くした状態であれば、可能です。
CHARM®-2 センサーの応答は、非常に高速なため、エッチングプロセスでのチャージングダメージを調べる為に、完全なエッチング サイクルに合
わせてプラズマ雰囲気に晒す必要はありません。実プラズマに晒す時間が短い為、CHARM®-2 に与えるダメージは僅かにある程度ですので、有効なウェーハチャージングの試験結果が得られ且つ何度も再使用ができます。詳細情報に関しては、WCM 社までご連絡ください。
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| 2. | Q. | どのようなプラズマエッチングプロ
セスがウェーハ チャージングに問題を引き起こしやすいですか ? |
| A. | Poly-Si、メタル、酸化膜のエッチングは、
すべてのチャージングの問題を引き起こす可能性があります。
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| 3. | Q. | プラズマエッチングにおいて RF パワーを増した場合はチャージング問題を悪化させますか ? |
| A. | 可能性はありますが、プラズマエッチプロセスでのウェーハチャージングを引起こす主な要因は RF パワーではなく、プラズマの不均性で
あることは一般によく知られています。
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| 4. | Q. | プラズマエッチングにおける高い DC
バイアスは、チャージングに問題を起こしますか ? |
| A. | 必ず起こすとは限りません。ウェーハチャ
ージングは、ウェーハ表面と基板の間に生じた電位によって変わります。一方、
プラズマエッチングでは、たいていのいわゆる「 DC バイアス」はプラズマシース (ウェーハでは
ない )全体としては低下します。
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| 5. | Q. | ダウンストリーム
アッシャは、従来のドライレジストアッシャよりもウェーハ チャージングを引き起こ
しにくいですか ? |
| A. |
確信をもって言えることではありませんが、これまでの経験からして、ダウンストリームアッシャでは、ウェーハ チャージングは少ないようです。但し、従来のアッシャでも適切なプロ
セス状態では、ウェーハ チャージングの安全レベルでも従来の条件下で使用することにより、低いチャージングレベルに抑えることができます。
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| 6. | Q. | ビアエッチングは、チャ
ージングを引き起こすことが多いですか? |
| A. |
場合によってはあります。詳細情報に関しては、以下の文献をご覧ください。
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| 7. | Q. | メタル エッチングは、ウェーハチ
ャージングを引き起こすことが多いですか ? |
| A.
| 場合によってはあります。詳細情報に関しては、以下の文献をご覧ください。
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Wafer Charging Monitors, Inc.