Wafer Charging Monitors 社

GMR ヘッド・メーカーで使用されております  

Wafer Charging Monitors 社では、GMR ヘッド製造 歩留まりの劣化を引き起こすウェーハチャージングの問題解消にお役に立てるよう日 々務めております。当社は、半導体 IC および装置メーカーがウェーハ チャージン グで陥る点についての追跡記録を保管しており、この記録をもとに GMR ヘッド・メ ーカーのサポートに努めております。

GMR ヘッド製造におけるウェーハ チャー ジング

長年、半導体 IC および装置メーカーを悩ませたウェーハ チャージングの問題は、 ディスクドライブ産業の磁気ヘッド製造に影響を及ぼしているかもしれません。大型 磁気抵抗ヘッドの製造に必要な酸化膜が薄くなり、プロセスが進化したため、ヘッド ・メーカーにとっては、製造プロセスにおけるウェーハ チャージングによる歩留ま りが低下するリスクが減少しました。

影響されやすいプロセスと製造装置

磁気ヘッドを作るために使用される材 料、プロセス、装置は、半導体産業で使用されるものと類似しています。類似してい るものには、たとえば、非常に薄い伝導体と誘電体膜、プラズマベース、またはイオ ンベースのシステムによるプロセス/装置などがあります。半導体産業の経験から、 ウェーハ チャージングには、このようなプロセス /装置が使われることがあり、そ れがダメージと製品歩留まりの劣化を引き起こすプロセスの拡大程度を決定している ことが分かっています。GMR ヘッド・メーカーも似たような状況に直面している可能 性があります。

GMR ヘッド製造歩留まりを改良するには

GMR ヘッド製造歩留まりの低下が起きた場合、原因がウェーハチャージングにある可 能性があります。この原因は、CHARM®-2 モニターウェーハを使用すれば、簡単 に確定できます。というのも、この装置には、個別にプロセスの手順中にウェーハチ ャージングを完全に特定するさまざまなセンサーが備わっており、劣化を引き起こす プロセスの起こる可能性を詳細に査定することができるからです。そのプロセスが劣 化を引き起こす可能性が高い場合、 CHARM®-2でモニターされた一連のプロセス 実験をウェーハチャージングによる劣化を解消する目的で実行することができます。

追加情報およびサポート

ウェーハ チャージング問題、および CHARM®-2 モニターウェーハについての詳 細は、本ウェブサイトの「よく寄せられる質問 (FAQ)」のページをご覧ください。ウェ ブサイトには、この他にもダウンロード用のチュートリアル、最新の研究に関する情 報、テクニカルノートおよび概要、その他の出版物を掲載しており、そのうちの多く は、 PDF ファイル形式でダウンロードすることができます。追加情報についてのご 質問、ご要望は、お電話：(650-851-9313) または電子メール： info@charm-2.com で当社までご連絡ください。 なお当社では、ベンダー向けプレゼンテーションも行っております。