| 1. | Q. |
웨이퍼 차징 문제를 가장 많이 일으키는 이온 주입에는 어떤 종류가 있습니까? |
| A. |
몇몇 중간 전류 주입 및 소스/배출 접합을 제작하는 데 사용되는 고 전류 주입.
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| 2. | Q. |
이온 주입 동안 플러드 건(flood gun)이나 전자 샤우어(E-shower)가 웨이퍼 차징을 방지해줍니까? |
| A. |
장비 셋업에 따라, 웨이퍼 차징을 상당히 줄일 수는 있지만 여전히 문제가 있을 수 있습니다.
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| 3. | Q. |
소스/배출 이온 주입에 "안전한" 빔 전류는 무엇입니까? |
| A. |
임시 이온 주입기를 적절하게 최적화하면 주입기의 정격 출력에서 작동시킬 수 있습니다.
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| 4. | Q. |
처리량을 극대화하고 제품 웨이퍼에 차징 손상을 일으키지 않도록, 정격 출력에서
고 전류 이온 주입기를 작동할 수 있습니까? |
| A. |
예. 그러나 주입 파라미터와 차지 컨트롤 장치 설정의 최적화가 필요할 수 있습니다.
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| 5. | Q. |
CHARM®-2 웨이퍼를 사용해서 처리량을 극대화하기 위해 주입 및 차지 컨트롤 장치 설정을
최적화할 수 있습니까? |
| A. |
예. 이것은 간단한 적용입니다. 추가 정보가 필요하시면 WCM에 문의하십시오.
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| 6. | Q. |
이온 주입 도중 레지스트 마스크의 극성이 웨이퍼 차징에 영향을 미칩니까? |
| A. |
예. 그리고 아래 페이퍼에서 설명된 것처럼 차이가 큽니다.
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Wafer Charging Monitors, Inc.