| 1. | Q. |
심각한 손상을 주지 않고도 플라즈마 에칭기를 통해 CHARM®-2 웨이퍼를 실행시킬 수 있습니까? |
| A. |
예. 에칭 주기를 짧게 유지하는 경우 가능합니다. CHARM®-2 센서는 아주 급속히 반응하기 때문에
웨이퍼 차징 문제가 있는지 알아보는 에칭 프로세스를 테스트하기 위해 에칭 주기 동안 계속해서 CHARM®-2
웨이퍼를 노출시킬 필요는 없습니다. 활동중인 플라즈마에 아주 짧은 기간 동안만 노출해도 되기 때문에,
웨이퍼에는 아주 작은 손상만이 생길 것입니다. 그래도 웨이퍼 차징 테스트 결과는 여전히
유효하며, 여러 번 재사용할 수 있습니다. 추가 정보가 필요하시면 WCM으로 문의하십시오.
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| 2. | Q. |
어떤 플라즈마 에칭 프로세스가 웨이퍼 차징 문제를 잘 일으킵니까? |
| A. |
폴리, 메탈 및 산화물 에칭 모두 차징 문제를 일으킬 수 있습니다.
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| 3. | Q. |
플라즈마 에칭에서 RF 전력을 증가시키면 차징 문제가 더 심해집니까? |
| A. |
그럴 수도 있지만, RF 전력이 아닌 플라즈마 비 균일성이
플라즈마 에치 프로세스에서 웨이퍼 차징을 일으키는 주 요인이라는 의견이 지배적입니다.
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| 4. | Q. |
플라즈마 에칭에서 높은 DC 바이어스가 웨이퍼 에칭 문제를 일으킵니까? |
| A. |
꼭 그렇지는 않습니다. 웨이퍼 차징은 웨이퍼 표면과 기판 사이에 생긴 전기 전위에 따라 다릅니다.
반면 플라즈마 에칭에서 대부분의 소위 "DC 바이어스"가 플라즈마 외장 (웨이퍼가 아님)에서는 하강하게 됩니다.
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| 5. | Q. |
다운스트림 스트리퍼가 기존의 건식 레지스트 스트리퍼보다 웨이퍼 차징을 더 많이 일으킵니까? |
| A. |
절대적이지는 않습니다. 우리의 경험으로는 다운스트림 스트리퍼는 웨이퍼 차징을 거의 일으키지
않습니다. 또한 프로세스 상태가 올바르다면 기존 스트리퍼도 안전한 정도의 웨이퍼 차징만
발생시킬 뿐입니다.
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| 6. | Q. |
바이어 에칭이 웨이퍼 차징을 더 많이 일으킵니까? |
| A. |
일부 경우 맞습니다. 추가 정보가 필요하시면 아래 책자를 참조하십시오.
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| 7. | Q. |
메탈 에칭이 웨이퍼 차징을 더 많이 일으킵니까? |
| A. |
일부 경우 맞습니다. 추가 정보가 필요하시면 아래 책자를 참조하십시오.
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Wafer Charging Monitors, Inc.