| 1. | Q. |
포토레지스트가 웨이퍼 차징에 영향을 미칩니까? |
| A. |
그렇습니다. 웨이퍼 표면에 포토레지스트가 있으면 웨이퍼 차징이
크게 늘어나게 됩니다. 아래 페이퍼를 참조하십시오.
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| 2. | Q. |
토포그라피에 무관한 차징 효과를 패턴화하는 것은 얼마나 중요합니까? |
| A. |
토포그라피에 무관한 차징 효과를 패턴화하는 것은 아주 중요할 수 있습니다.
간혹 토포그라피에 무관한 차징 효과가 주된 효과입니다.
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| 3. | Q. |
"전자 쉐이딩(electron shading)" 효과와 같이 토포그라피에 무관한 차징 효과를 패턴화하는 연구에
CHARM®-2 웨이퍼를 사용할 수 있습니까? |
| A. |
예. 이 연구에서는 제품 웨이퍼에 존재하는 상태를 에뮬레이트하기 위해
CHARM®-2 "안테나"에 레지스트 패턴을 놓습니다. WCM은 이 용도로 사용되는
"표준형" 레지스트 마스크를 제공합니다.
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| 4. | Q. |
토포그라피에 무관한 차징 효과를 나의 특정 설계 규칙과 연관시켜서 연구할 수 있는 방법은 있습니까? |
| A. |
WCM의 설계 커스텀 레지스트 마스크를 사용해 보십시오.
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Wafer Charging Monitors, Inc.